onsemi NTB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
254-7664
Herst. Teile-Nr.:
NTBG060N065SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

NTB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

117W

Durchlassspannung Vf

4.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

74nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L


Die Serie NTB von Siliziumkarbid-Mosfet von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Zusätzlich mit dem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und der kompakten Chipgröße. Es gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.

Höhere Systemzuverlässigkeit, extrem niedrige Gate-Ladung, hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität

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