onsemi NTB NTBG040N120SC1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 1200 V / 60 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 202-5689
Herst. Teile-Nr.:: NTBG040N120SC1
Marke:: onsemi

onsemi NTB NTBG040N120SC1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 1200 V / 60 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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Herst. Teile-Nr.:: NTBG040N120SC1
Marke:: onsemi

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Datasheet - NTBG040N120SC1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK?7L

Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 60 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, DC- oder DC-Wandler, Boost-Wechselrichter verwendet werden.

40-mO-Ablass zur Quelle des Widerstandes
Extrem niedrige Gate-Ladung
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Bleifrei
RoHS-konform

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	60 A
Drain-Source-Spannung max.	1200 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	NTB
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	0,04 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	SiC