onsemi NTB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 1200 V / 19.5 A 136 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 205-2494
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBG160N120SC1
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | NTB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 225mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33.8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.3mm | |
| Breite | 9.7 mm | |
| Länge | 15.1mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie NTB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 225mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33.8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.3mm | ||
Breite 9.7 mm | ||
Länge 15.1mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
Der on Semiconductor SiC N-Kanal 1200 V MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betrieb, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Dauerablassstrom: 19,5 A
Der Ablass zur Quelle bei einem Widerstand beträgt 224 MOhm
Extrem niedrige Gate-Ladung
Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität
100 % Lawinengeprüft