onsemi NTB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 60 A 68 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 205-2495
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBS9D0N10MC
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 9.6 mm | |
| Länge | 14.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 9.6 mm | ||
Länge 14.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor Single N-Kanal 100 V MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betrieb, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Dauerablassstrom beträgt 60 A
Der Ablass zur Quelle bei einem Widerstand beträgt 9,0 MOhm
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Optimierte Schaltleistung
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
Branchenweit niedrigste Qrr- und weichste Gehäusediode für hervorragende rauscharme Anwendungen Schalten
Niedriges Schaltgeräusch/EMI
Hoher Wirkungsgrad mit geringerer Schaltspitze und EMI
Gehäusetyp ist D2PAK3