onsemi NTB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 201 A 340 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

2.400,00 €

(ohne MwSt.)

2.856,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3.200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 +3,00 €2.400,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
202-5687
Herst. Teile-Nr.:
NTB004N10G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

201A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

NTB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.82mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

340W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

175nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.88mm

Länge

10.63mm

Breite

4.83 mm

Normen/Zulassungen

Pb-Free and are RoHS

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor Power MOSFET läuft mit 201 Ampere und 100 Volt. Er kann in Hot-Swap-Systemen mit 48 V verwendet werden.

Niedriger Ablass zur Quelle im Widerstand

Hohe Strombelastbarkeit

Großer sicherer Betriebsbereich

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-konform

Verwandte Links