onsemi NTB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 201 A 340 W, 3-Pin NTB004N10G TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
NTB004N10G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

201A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

NTB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.82mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

175nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

340W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Pb-Free and are RoHS

Länge

10.63mm

Breite

4.83 mm

Höhe

15.88mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor Power MOSFET läuft mit 201 Ampere und 100 Volt. Er kann in Hot-Swap-Systemen mit 48 V verwendet werden.

Niedriger Ablass zur Quelle im Widerstand

Hohe Strombelastbarkeit

Großer sicherer Betriebsbereich

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-konform

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