onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 44 A 348 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
189-0265
Herst. Teile-Nr.:
NVHL080N120SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

162mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Durchlassspannung Vf

4V

Maximale Verlustleistung Pd

348W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.82mm

Länge

15.87mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.82 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247-3


Siliziumkarbid (SiC) MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betrieb, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.

1200 V Nennspannung

Max RDS(on) = 110 mΩ bei Vgs = 20 V, ID = 20 A

Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität

Geräte sind bleifrei

Anwendungen

PFC

OBC

Endprodukte

KFZ-DC/DC-Wandler für EV/PHEV

Kfz-On-Board-Ladegerät

Kfz-Hilfsmotorantrieb

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