onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 102 A 510 W, 4-Pin TO-247

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202-5735
Herst. Teile-Nr.:
NVH4L020N120SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

102A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

NVH

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

28mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

510W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

220nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101 and PPAP Capable

Länge

15.8mm

Höhe

22.74mm

Breite

5.2 mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 20 m?, TO247-4L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 102 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandleranwendungen verwendet werden.

AEC Q101-zertifiziert

Produktionsteil-Genehmigungsprozess möglich

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Niedrige effektive Ausgangskapazität

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