onsemi NVH NVH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 202-5741
- Herst. Teile-Nr.:
- NVH4L160N120SC1
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 21.11.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer Stange von 450)
7,088 €
(ohne MwSt.)
8,435 €
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
---|---|---|
450 + | 7,088 € | 3.189,60 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5741
- Herst. Teile-Nr.:
- NVH4L160N120SC1
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L
Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 17,3 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandleranwendungen verwendet werden.
AEC Q101-zertifiziert
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Niedrige effektive Ausgangskapazität
RoHS-konform
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Niedrige effektive Ausgangskapazität
RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 17,3 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
Gehäusegröße | TO-247-4 |
Serie | NVH |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,16 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.3V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | SiC |
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