onsemi NVH NVHL160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17 A, 4-Pin TO-247-4

RS Best.-Nr.:: 202-5747
Herst. Teile-Nr.:: NVHL160N120SC1
Marke:: onsemi

onsemi NVH NVHL160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17 A, 4-Pin TO-247-4

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

18,12 €

(ohne MwSt.)

21,56 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 5	18,12 €	90,60 €
10 - 95	15,62 €	78,10 €
100 - 245	14,934 €	74,67 €
250 - 495	14,552 €	72,76 €
500 +	14,186 €	70,93 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 202-5747
Herst. Teile-Nr.:: NVHL160N120SC1
Marke:: onsemi

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Datasheet - NVHL160N120SC1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 160 mΩ, 1200 V, M1, TO247-3L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 160 m?, TO247-3L

Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 17 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandleranwendungen verwendet werden.

AEC Q101-zertifiziert
100 % UIL-geprüft
Niedrige effektive Ausgangskapazität
RoHS-konform

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	17 A
Drain-Source-Spannung max.	1200 V
Gehäusegröße	TO-247-4
Serie	NVH
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	0,16 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.3V
Transistor-Werkstoff	SiC
Anzahl der Elemente pro Chip	1