onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 29 A 170 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
202-5739
Herst. Teile-Nr.:
NVH4L080N120SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NVH

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

22.74mm

Breite

5.2 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 80 m?, TO247-4L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 29 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandlern, Kfz-Hilfsmotortreiberanwendungen verwendet werden.

AEC Q101-zertifiziert

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Niedrige effektive Ausgangskapazität

RoHS-konform

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