onsemi NVH NVH4L080N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 4-Pin TO-247-4

RS Best.-Nr.:: 202-5739
Herst. Teile-Nr.:: NVH4L080N120SC1
Marke:: onsemi

onsemi NVH NVH4L080N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 4-Pin TO-247-4

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Datasheet - NVH4L080N120SC1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 80 m?, TO247-4L

Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 29 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandlern, Kfz-Hilfsmotortreiberanwendungen verwendet werden.

AEC Q101-zertifiziert
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Niedrige effektive Ausgangskapazität
RoHS-konform

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	29 A
Drain-Source-Spannung max.	1200 V
Gehäusegröße	TO-247-4
Serie	NVH
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	0,08 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	SiC