onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 29 A 170 W, 4-Pin TO-247

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

14,92 €

(ohne MwSt.)

17,76 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 410 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +7,46 €14,92 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
202-5740
Herst. Teile-Nr.:
NVH4L080N120SC1
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NVH

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

5.2 mm

Höhe

22.74mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 80 m?, TO247-4L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 29 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandlern, Kfz-Hilfsmotortreiberanwendungen verwendet werden.

AEC Q101-zertifiziert

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Niedrige effektive Ausgangskapazität

RoHS-konform

Verwandte Links