onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 174 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
202-5745
Herst. Teile-Nr.:
NVHL040N120SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NVH

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Maximale Verlustleistung Pd

174W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.25mm

Breite

4.82 mm

Länge

15.87mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-3L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 40 m?, TO247-3L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 60 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandleranwendungen verwendet werden.

AEC Q101-zertifiziert

100 % UIL-geprüft

Niedrige effektive Ausgangskapazität

RoHS-konform

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