onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 70 A 263 W, 3-Pin TO-247-4L

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Herst. Teile-Nr.:
NVHL023N065M3S
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

NVH

Gehäusegröße

TO-247-4L

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

4.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69nC

Maximale Verlustleistung Pd

263W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Pb-Free, Halide Free and RoHS with Exemption 7a

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Die ON Semiconductor Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) EliteSiC ist ein 650 V, 23 mΩ Bauelement im M3S TO-247-3L-Gehäuse. Er ist für leistungsstarke Leistungsanwendungen konzipiert und bietet einen niedrigen Durchlasswiderstand und hervorragende Schalteigenschaften, wodurch er sich ideal für den Einsatz in anspruchsvollen Leistungselektronikanwendungen, einschließlich Industrie- und Automobilsystemen, eignet.

Die Geräte sind Pb-frei und entsprechen der RoHS-Richtlinie

Qualifiziert für die Automobilindustrie gemäß AEC Q101

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