onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 50 A 187 W, 4-Pin NVH4L023N065M3S TO-247-4L

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Herst. Teile-Nr.:
NVH4L023N065M3S
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

NVH

Gehäusegröße

TO-247-4L

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

±22 V

Maximale Verlustleistung Pd

187W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Durchlassspannung Vf

4.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET EliteSiC von ON Semiconductor ist ein 650 V, 23 mΩ-Baustein im M3S TO-247-4L-Gehäuse. Er ist für eine hocheffiziente und leistungsstarke Leistungsumwandlung konzipiert und bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten. Dieser MOSFET ist ideal für Anwendungen in der Automobilbranche, in der Industrie und in Systemen für erneuerbare Energien und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen.

Die Geräte sind Pb-frei und entsprechen der RoHS-Richtlinie

Qualifiziert für die Automobilindustrie gemäß AEC Q101

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