onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 51 A 200 W, 3-Pin NTHL032N065M3S TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 327-809
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL032N065M3S
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Serie | NTH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Serie NTH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die SiC-MOSFETs von ON Semiconductor sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert und verfügen über eine Planartechnologie, die einen zuverlässigen Betrieb mit negativer Gate-Spannung und Abschaltspitzen am Gate gewährleistet. Diese MOSFET-Familie bietet eine optimale Leistung, wenn sie mit einer 18-V-Gate-Ansteuerung betrieben wird, arbeitet aber auch effektiv mit einer 15-V-Gate-Ansteuerung.
Halidfrei und RoHS-konform
15V bis 18V Torantrieb
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