onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 151 A 682 W, 4-Pin NTH4L013N120M3S TO-247-4L

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Herst. Teile-Nr.:
NTH4L013N120M3S
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

151A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247-4L

Serie

NTH

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

254nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

682W

Durchlassspannung Vf

4.7V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

15.6 mm

Länge

16.2mm

Normen/Zulassungen

Halide Free and RoHS with Exemption 7a

Höhe

5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die MOSFETs von ON Semiconductor sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativer Gate-Spannung und schaltet Spikes am Gate aus. Diese Familie bietet eine optimale Leistung, wenn sie mit einem 18-V-Gate-Antrieb betrieben wird, funktioniert aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Antrieb.

Halogenidfrei

RoHS-konform

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