onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 140 A 500 W, 7-Pin TO-247-4L

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277-041
Herst. Teile-Nr.:
NTH4L018N075SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

140A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Serie

NTH

Gehäusegröße

TO-247-4L

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Durchlassspannung Vf

4.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

262nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Hohe Schaltgeschwindigkeit bei geringer Kapazität

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Das Gerät ist halidfrei und RoHS-konform

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