onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 140 A 500 W, 7-Pin NTH4L018N075SC1 TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 277-041
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L018N075SC1
- Marke:
- onsemi
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- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 140A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Serie | NTH | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 262nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 140A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Serie NTH | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 262nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Hohe Schaltgeschwindigkeit bei geringer Kapazität
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Das Gerät ist halidfrei und RoHS-konform