onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 50 A 187 W, 4-Pin TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 327-805
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L032N065M3S
- Marke:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L032N065M3S
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | NTH | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 187W | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie NTH | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 187W | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET EliteSiC von ON Semiconductor ist ein 650 V, 32 mΩ-Baustein im M3S TO247-4L-Gehäuse. Er zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 55 nC) und hohe Schaltgeschwindigkeit bei geringer Kapazität (Coss = 114 pF) aus. Das Gerät ist zu 100 % Avalanche-geprüft, halogenfrei und RoHS-konform mit der Ausnahme 7a. Außerdem ist es auf der zweiten Verbindungsebene Pb-frei, was es für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik geeignet macht.
Hoher Wirkungsgrad und reduzierte Schaltverluste
Robuster und zuverlässiger Betrieb in rauen Umgebungen
Ideal für Anwendungen in der Automobilbranche und im Bereich der erneuerbaren Energien
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