onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 348 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
202-5704
Herst. Teile-Nr.:
NTHL040N120SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

NTH

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

348W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

20.25mm

Breite

4.82 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.87mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 60 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, DC/DC-Wandler, Aufwärtswandler verwendet werden.

40-mO-Ablass zur Quelle des Widerstandes

Extrem niedrige Gate-Ladung

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Bleifrei

RoHS-konform

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