onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 29 A 170 W, 4-Pin NTH4L080N120SC1 TO-247

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202-5701
Herst. Teile-Nr.:
NTH4L080N120SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

NTH

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.2mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

22.74mm

Breite

5.2 mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 29 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, Boost-Wechselrichter, Motorantrieb für die Industrie, PV-Ladegerät verwendet werden.

110 mO Ablass zur Quelle am Widerstand

Extrem niedrige Gate-Ladung

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Bleifrei

RoHS-konform

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