onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin NTH4L075N065SC1 TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 254-7672
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L075N065SC1
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
8,30 €
(ohne MwSt.)
9,88 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,30 € |
| 10 - 99 | 7,16 € |
| 100 + | 6,20 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 254-7672
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L075N065SC1
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | NTH | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free 2LI, RoHS with exemption 7a | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie NTH | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free 2LI, RoHS with exemption 7a | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
Die Serie NTH von Siliziumkarbid-Mosfet von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Zusätzlich mit dem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und der kompakten Chipgröße. Es gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Verwendet in der Telekommunikation Hohe Zuverlässigkeit bei hohen Umgebungstemperaturen Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität
Verwandte Links
- onsemi NTH Typ N-Kanal 7-Pin TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal 7-Pin NTHL015N065SC1 TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal 7-Pin NTH4L025N065SC1 TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal 3-Pin NTHL060N065SC1 TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal 4-Pin NTH4L060N065SC1 TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal 3-Pin NTHL025N065SC1 TO-247