onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 38 A TO247-4L

Die Serie NTH von Siliziumkarbid-Mosfet von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Zusätzlich mit dem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und der kompakten Chipgröße. Es gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.

Verwendet in der Telekommunikation Hohe Zuverlässigkeit bei hohen Umgebungstemperaturen Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität