onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 29 A 170 W, 4-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
202-5700
Herst. Teile-Nr.:
NTH4L080N120SC1
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NTH

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.2 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

22.74mm

Länge

15.2mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 29 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, Boost-Wechselrichter, Motorantrieb für die Industrie, PV-Ladegerät verwendet werden.

110 mO Ablass zur Quelle am Widerstand

Extrem niedrige Gate-Ladung

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Bleifrei

RoHS-konform

Verwandte Links