onsemi NTH NTH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4

RS Best.-Nr.:: 202-5702
Herst. Teile-Nr.:: NTH4L160N120SC1
Marke:: onsemi

onsemi NTH NTH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4

Voraussichtlich ab 21.11.2024 verfügbar.

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4,582 €

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RS Best.-Nr.:: 202-5702
Herst. Teile-Nr.:: NTH4L160N120SC1
Marke:: onsemi

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Datasheet - NTH4L160N120SC1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 17,3 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, DC/DC-Wandler, Aufwärtswandler verwendet werden.

160 mO Ablass zur Quelle am Widerstand
Extrem niedrige Gate-Ladung
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Bleifrei
RoHS-konform

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	17,3 A
Drain-Source-Spannung max.	1200 V
Serie	NTH
Gehäusegröße	TO-247-4
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	0,224 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	SiC