onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 17.3 A 111 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
202-5702
Herst. Teile-Nr.:
NTH4L160N120SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

NTH

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

224mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

111W

Durchlassspannung Vf

4V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.2 mm

Länge

18.62mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

22.74mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 17,3 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, DC/DC-Wandler, Aufwärtswandler verwendet werden.

160 mO Ablass zur Quelle am Widerstand

Extrem niedrige Gate-Ladung

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Bleifrei

RoHS-konform

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