onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 29 A 119 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
202-5706
Herst. Teile-Nr.:
NTHL160N120SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NTH

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

119W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.87mm

Breite

4.82 mm

Höhe

20.82mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 17 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, DC/DC-Wandler, Aufwärtswandler verwendet werden.

160 mO Ablass zur Quelle am Widerstand

Extrem niedrige Gate-Ladung

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Bleifrei

RoHS-konform

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