onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 319 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5738
- Herst. Teile-Nr.:
- NVH4L040N120SC1
- Marke:
- onsemi
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- NVH4L040N120SC1
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | NVH | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 56mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 106nC | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 319W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 170°C | |
| Höhe | 22.74mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.2 mm | |
| Länge | 15.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie NVH | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 56mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 106nC | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 319W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 170°C | ||
Höhe 22.74mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.2 mm | ||
Länge 15.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 40 m?, TO247-4L
Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 58 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandleranwendungen verwendet werden.
AEC Q101-zertifiziert
Produktionsteil-Genehmigungsprozess möglich
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Niedrige effektive Ausgangskapazität