onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 319 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
202-5737
Herst. Teile-Nr.:
NVH4L040N120SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

NVH

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

319W

Betriebstemperatur min.

-50°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Maximale Betriebstemperatur

170°C

Höhe

22.74mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.2 mm

Länge

15.8mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 40 m?, TO247-4L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 58 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandleranwendungen verwendet werden.

AEC Q101-zertifiziert

Produktionsteil-Genehmigungsprozess möglich

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Niedrige effektive Ausgangskapazität

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