Wolfspeed C2M0080170P N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 40 A 277 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 192-3368
- Herst. Teile-Nr.:
- C2M0080170P
- Marke:
- Wolfspeed
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- C2M0080170P
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 40 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1700 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 80 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 277 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –10 V, 25 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.21mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 120 nC @ 5/20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 23.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 40 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1700 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 80 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 277 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –10 V, 25 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.21mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 120 nC @ 5/20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 23.6mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Mindestens 1700 V VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich
Optimiertes Gehäusedesign mit großer Kriechstrecke/Abstand zwischen Abfluss und Quelle für hohe Spannungsfestigkeit in Umgebungen mit hoher Verschmutzung
Separater Stromversorgungsstift senkt die Quellinduktivität und sorgt für geringere Schaltverluste
Die Clip-Bauweise ohne mittige Montagebohrung sorgt für eine verbesserte elektrische Isolierung
8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Optimiertes Gehäusedesign mit großer Kriechstrecke/Abstand zwischen Abfluss und Quelle für hohe Spannungsfestigkeit in Umgebungen mit hoher Verschmutzung
Separater Stromversorgungsstift senkt die Quellinduktivität und sorgt für geringere Schaltverluste
Die Clip-Bauweise ohne mittige Montagebohrung sorgt für eine verbesserte elektrische Isolierung
8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
