Wolfspeed C3M0065100J N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 35 A 113,5 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 192-3374
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0065100J
- Marke:
- Wolfspeed
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0065100J
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 35 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1000 V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 65 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.8V | |
| Verlustleistung max. | 113,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -8 V, 19 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.12mm | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.23mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 35 nC @ 4/15 V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 35 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1000 V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 65 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.8V | ||
Verlustleistung max. 113,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -8 V, 19 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.12mm | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.23mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 35 nC @ 4/15 V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 4.57mm | ||
Mindestens 1 kV VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich (keine Drosselung erforderlich)
Gehäuse mit niedriger Quelleninduktivität und eigenem Treiberquellenpol
>7 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Gehäuse mit niedriger Quelleninduktivität und eigenem Treiberquellenpol
>7 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben