Wolfspeed N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 115 A 556 W, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 192-3490
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0016120K
- Marke:
- Wolfspeed
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- RS Best.-Nr.:
- 192-3490
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0016120K
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 115 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 16 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.6V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.8V | |
| Verlustleistung max. | 556 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -8 V, 19 V | |
| Breite | 5.21mm | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Länge | 16.13mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 211 nC @ 4/15 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 23.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 115 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 16 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.6V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.8V | ||
Verlustleistung max. 556 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -8 V, 19 V | ||
Breite 5.21mm | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Länge 16.13mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 211 nC @ 4/15 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 23.6mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
Branchenweit führender 16 mΩ RDS(on)
1200 V VBR (Minimum) über den gesamten Betriebstemperaturbereich [-40 °C - 175 °C]
+15 V Gate-Ansteuerspannung
Niederohmiges Gehäuse mit Kelvin-Quellstift
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückkehrwiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Anwendungen
Solar- und Energiespeichersysteme
Laden von Elektrofahrzeugen
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
Motorsteuerung und Antriebe
Schaltnetzteile (SMPS)
1200 V VBR (Minimum) über den gesamten Betriebstemperaturbereich [-40 °C - 175 °C]
+15 V Gate-Ansteuerspannung
Niederohmiges Gehäuse mit Kelvin-Quellstift
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückkehrwiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Anwendungen
Solar- und Energiespeichersysteme
Laden von Elektrofahrzeugen
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
Motorsteuerung und Antriebe
Schaltnetzteile (SMPS)
