Branchenweit führender 16 mΩ RDS(on) 1200 V VBR (Minimum) über den gesamten Betriebstemperaturbereich [-40 °C - 175 °C] +15 V Gate-Ansteuerspannung Niederohmiges Gehäuse mit Kelvin-Quellstift >8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückkehrwiederherstellung (Qrr) Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben Anwendungen Solar- und Energiespeichersysteme Laden von Elektrofahrzeugen Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) Motorsteuerung und Antriebe Schaltnetzteile (SMPS)
