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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Wolfspeed
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	35 A
	Drain-Source-Spannung max.	1000 V
	Gehäusegröße	TO-263
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand max.	65 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
	Gate-Schwellenspannung min.	1.8V
	Verlustleistung max.	113,5 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-8 V, 19 V
	Transistor-Werkstoff	SiC
	Länge	10.23mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	35 nC @ 4/15 V
	Breite	9.12mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Betriebstemperatur min.	–55 °C
	Höhe	4.57mm

	Alle auswählen
	Marke Wolfspeed
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 35 A
	Drain-Source-Spannung max. 1000 V
	Gehäusegröße TO-263
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand max. 65 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 3.5V
	Gate-Schwellenspannung min. 1.8V
	Verlustleistung max. 113,5 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -8 V, 19 V
	Transistor-Werkstoff SiC
	Länge 10.23mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 35 nC @ 4/15 V
	Breite 9.12mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Betriebstemperatur min. –55 °C
	Höhe 4.57mm

Ursprungsland:: CN

Mindestens 1 kV VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich (keine Drosselung erforderlich)
Gehäuse mit niedriger Quelleninduktivität und eigenem Treiberquellenpol
>7 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben

Wolfspeed C3M0065100J N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 35 A 113,5 W, 7-Pin TO-263