STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 15 A 110 W, 5-Pin PowerFLAT

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RS Best.-Nr.:
192-4882P
Herst. Teile-Nr.:
STL26N60DM6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

215mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

8.1mm

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert das DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem effektiven Schaltverhalten für die anspruchsvollsten hocheffizienten Bridge-Topologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.

Gehäusediode mit schneller Erholung

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zenerdioden-geschützt

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