STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 300 V / 53 A 250 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 192-4977
- Herst. Teile-Nr.:
- STB45N30M5
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 192-4977
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- STB45N30M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 53A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 300V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.04Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 95nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 9.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.37mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 53A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 300V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.04Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 95nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 9.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.37mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.
Extrem niedriger RDS(on)
Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Ausgezeichnetes Schaltvermögen
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