STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 300 V / 53 A 250 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

14,02 €

(ohne MwSt.)

16,68 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 87,01 €14,02 €
10 - 186,59 €13,18 €
20 - 486,22 €12,44 €
50 - 985,90 €11,80 €
100 +5,605 €11,21 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
192-4977
Herst. Teile-Nr.:
STB45N30M5
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

53A

Drain-Source-Spannung Vds max.

300V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

MDmesh M5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.04Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±25 V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

95nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.37mm

Länge

10.4mm

Breite

9.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.

Extrem niedriger RDS(on)

Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Ausgezeichnetes Schaltvermögen

Verwandte Links