Teile-Nr.

onsemi FDMS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 116 A 113.6 W, 8-Pin PQFN

RS Best.-Nr.:: 195-2499P
Herst. Teile-Nr.:: FDMS4D5N08LC
Marke:: onsemi

onsemi FDMS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 116 A 113.6 W, 8-Pin PQFN

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Herst. Teile-Nr.:: FDMS4D5N08LC
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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	116A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Serie	FDMS
	Gehäusegröße	PQFN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	7.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	51nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	113.6W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	5.85mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	5mm
	Höhe	1.05mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 116A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Serie FDMS
	Gehäusegröße PQFN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 113.6W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 5.85mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 5mm
	Höhe 1.05mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet FDMS4D5N08LC

Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie

Max rDS(on) = 4,2 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 37 A

RDS(ON) = 11,1 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V, ID = 29 A)

50 % geringerer Qrr als andere MOSFET Lieferanten

Niedriges Schaltgeräusch / EMI

Logikpegelantrieb möglich

Anwendung

Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

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onsemi FDMS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 116 A 113.6 W, 8-Pin PQFN

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