onsemi NTMJS1D5N04CL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 110 W, 8-Pin LFPAK

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Herst. Teile-Nr.:
NTMJS1D5N04CLTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

NTMJS1D5N04CL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5mm

Höhe

1.15mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.9mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET für Industrieanwendungen in einem 5x6 mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design mit hoher Wärmeleistung.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

LFPAK8-Gehäuse, Industriestandard

Diese Geräte sind bleifrei

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