onsemi NTMYS2D4N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 138 A 83 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

RS Best.-Nr.:: 195-2510
Herst. Teile-Nr.:: NTMYS2D4N04CTWG
Marke:: onsemi

onsemi NTMYS2D4N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 138 A 83 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)

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RS Best.-Nr.:: 195-2510
Herst. Teile-Nr.:: NTMYS2D4N04CTWG
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Datasheet NTMYS2D4N04CTWG

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Produktdetails

Leistungs-MOSFET für Industrieanwendungen in einem 5x6 mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design mit hoher Wärmeleistung.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard
Diese Geräte sind bleifrei

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	138 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	LFPAK, SOT-669
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	2,3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	83 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.25mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	32 nC @ 10 V
Länge	5mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.15mm

onsemi NTMYS2D4N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 138 A 83 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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