onsemi NTMYS010N04CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

RS Best.-Nr.:: 195-2531
Herst. Teile-Nr.:: NTMYS010N04CLTWG
Marke:: onsemi

onsemi NTMYS010N04CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

Voraussichtlich ab 30.10.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 30)

1,612 €

(ohne MwSt.)

1,918 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
30 - 270	1,612 €	48,36 €
300 - 720	1,543 €	46,29 €
750 - 1470	1,505 €	45,15 €
1500 +	1,466 €	43,98 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 195-2531
Herst. Teile-Nr.:: NTMYS010N04CLTWG
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Datasheet NTMYS010N04CLTWG

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Leistungs-MOSFET für Industrieanwendungen in einem 5x6 mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design mit hoher Wärmeleistung.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard
Diese Geräte sind bleifrei

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	38 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	LFPAK, SOT-669
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	17,6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	28 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	4.25mm
Länge	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	7,3 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	1.15mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

onsemi NTMYS010N04CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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