onsemi NVMYS8D0N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 49 A 38 W, 4-Pin LFPAK

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Herst. Teile-Nr.:
NVMYS8D0N04CTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

49A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

NVMYS8D0N04C

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.15mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Breite

4.25 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei

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