onsemi NTMYS011N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 35 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
- RS Best.-Nr.:
- 195-2533
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMYS011N04CTWG
- Marke:
- onsemi
2970 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 30)
1,334 €
(ohne MwSt.)
1,587 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 30 - 270 | 1,334 € | 40,02 € |
| 300 - 720 | 1,275 € | 38,25 € |
| 750 - 1470 | 1,243 € | 37,29 € |
| 1500 + | 1,211 € | 36,33 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 195-2533
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMYS011N04CTWG
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Leistungs-MOSFET für Industrieanwendungen in einem 5x6 mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design mit hoher Wärmeleistung.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard
Diese Geräte sind bleifrei
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard
Diese Geräte sind bleifrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 35 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | LFPAK, SOT-669 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 12 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
| Verlustleistung max. | 28 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,9 nC @ 10 V |
| Breite | 4.25mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 5mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 1.15mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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