onsemi NVTFS010N10MCL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 57.8 A 77.8 W, 8-Pin WDFN

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NVTFS010N10MCLTAG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

57.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

NVTFS010N10MCL

Gehäusegröße

WDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

77.8W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.75mm

Länge

3.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 3-x-3-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.

Kleine Abmessungen (3 x 3 mm)

Kompaktes Design

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Minimiert Leitungsverluste

Niedrige Kapazität

Minimiert Treiberverluste

PPAP-fähig

Geeignet für Automobilanwendungen

Anwendung

Batterieverpolungsschutz

Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)

Schaltnetzteile

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