onsemi NVMFD6H852NLWFT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 25 A 3,2 W, 8-Pin DFN

RS Best.-Nr.:: 195-2555
Herst. Teile-Nr.:: NVMFD6H852NLWFT1G
Marke:: onsemi

onsemi NVMFD6H852NLWFT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 25 A 3,2 W, 8-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:: 195-2555
Herst. Teile-Nr.:: NVMFD6H852NLWFT1G
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Datasheet NVMFD6H852NLWFT1G

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
NVMFD6H852NLWF – Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion
PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	25 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	DFN
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	31,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	3,2 W
Transistor-Konfiguration	Dual
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Länge	6.1mm
Breite	5.1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	10 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Automobilstandard	AEC-Q101
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	1.05mm

onsemi NVMFD6H852NLWFT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 25 A 3,2 W, 8-Pin DFN

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