onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 80 V Erweiterung / 74 A 3.1 W, 8-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
195-2668
Herst. Teile-Nr.:
NVMFD6H840NLT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

74A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

175°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Höhe

1.05mm

Länge

6.1mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 3-x-3-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)

Kompaktes Design

Niedriger RDS (EIN)

Minimiert Leitungsverluste

Niedrige QG und Kapazität

Minimiert Treiberverluste

NVMFS5C410NLWF – Option mit benetzbaren Flanken

Verbesserte optische Prüfung

PPAP-fähig

Anwendung

Batterieverpolungsschutz

Schaltnetzteile

Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)

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