STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V Entleerung / 12 A 150 W, 3-Pin Hip-247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
202-4803P
Herst. Teile-Nr.:
SCT10N120AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.52Ω

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

4.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Höhe

34.95mm

Länge

15.75mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbid in Kfz-Qualität hat eine sehr enge Variation des Einschaltwiderstands im Vergleich zu zurückgekehrt ist. Er verfügt über eine sehr hohe Betriebstemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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