STMicroelectronics ST STB33N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 202-5495
Herst. Teile-Nr.:: STB33N60DM6
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics ST STB33N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Wiederherstellungs-DM6-Diodenserie MDmesh TM. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.

Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	25 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	ST
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,115 Ω
Channel-Modus	Depletion
Gate-Schwellenspannung max.	4.75V
Transistor-Werkstoff	SiC
Anzahl der Elemente pro Chip	1

RS Best.-Nr.:: 202-5495
Herst. Teile-Nr.:: STB33N60DM6
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