STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Entleerung / 25 A 190 W, 3-Pin TO-263

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202-5496
Herst. Teile-Nr.:
STB33N60DM6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

ST

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.115Ω

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

15.85mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Breite

4.6 mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Wiederherstellungs-DM6-Diodenserie MDmesh TM. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zenerdioden-geschützt

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