STMicroelectronics ST N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
STWA70N65DM6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

ST

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.036Ω

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

125nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Maximale Verlustleistung Pd

450W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.9mm

Höhe

41.2mm

Breite

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

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