onsemi NTN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 20 V / 127 mA 125 mW, 3-Pin XDFN

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202-5716
Herst. Teile-Nr.:
NTNS2K1P021ZTCG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

127mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

XDFN

Serie

NTN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-20V

Maximale Verlustleistung Pd

125mW

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

0.21mm

Breite

0.43 mm

Höhe

0.72mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor Power Single N-Kanal Leistungs-MOSFET läuft mit -127 Milliampere und -20 Volt. Er kann in Kleinsignal-Lastschaltern, Hochgeschwindigkeits-Schnittstellenanwendungen, Pegelumschaltungsanwendungen verwendet werden.

Bleifrei

RoHS-konform

Halogenfrei

Flaches, extrem kleines Gehäuse

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