Vishay SiJ462ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 39.3 A 22.3 W, 4-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
204-7215
Herst. Teile-Nr.:
SiJ462ADP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

39.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiJ462ADP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

22.3W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.25mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.14 mm

Höhe

6.25mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um Leistungsverluste zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern. Die flexiblen Leitungen sorgen für Widerstandsfähigkeit gegen mechanische Belastungen.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

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