Vishay SIR870ADP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 787-9355
Herst. Teile-Nr.:: SIR870ADP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIR870ADP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

1,856 €

(ohne MwSt.)

2,209 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	1,856 €	9,28 €
50 - 120	1,67 €	8,35 €
125 - 245	1,482 €	7,41 €
250 - 495	1,392 €	6,96 €
500 +	1,30 €	6,50 €

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RS Best.-Nr.:: 787-9355
Herst. Teile-Nr.:: SIR870ADP-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	60 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	10,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	104 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	53,5 nC @ 10 V
Länge	6.25mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.26mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.12mm